韩培高 副教授

日期:2018-01-17文章来源: 浏览次数:

韩培高  副教授

本人资料说明: DSC_00070

通讯地址:山东省曲阜市曲阜师范大学激光研究所

电子邮件:535366073@qq.com

办公地址:曲阜师范大学激光研究所311室


个人简历

教育背景:

2002年6月  本科毕业于山东师范大学;

2007年6月  博士研究生毕业于南京大学;

工作经历:


教学任务

主要从事光学专业教学;偏光技术与器件研究,薄膜与微结构研究


研究兴趣

新型偏振元器件设计、偏振检测、偏振干涉成像系统研究


曾获奖励

2012年12月 获山东省高校优秀科研成果奖

2016年6月 获曲阜师范大学优秀研究生指导教师

2016年11月 获山东省研究生优秀科技创新成果奖(指导教师)

2017年6月 获曲阜师范大学优秀研究生指导教师

2017年10月 获山东省优秀研究生学位论文指导教师


科研项目

1.亚氧化硅薄膜晶化临界点微结构与发光性质研究,国家自然科学基金青年项目,11104160,主持人。

2.居间相硅纳米结构的制备与发光特性研究,山东省自然科学基金项目,ZR2009GL010,主持人。

3.低成本、高密度纳米结构制备及其相变性能基础研究,信息功能材料国家重点实验室开放课题,主持人。


代表性论著

[1] Yun meng,Peigao han etal. Uniform silicon carbide doped Sb2Te nanomaterial for high temperature and high speed PCM applications,Journal of Alloys and Compounds,2016.01.

[2] Yun meng,Peigao han etal. Fast reversible switching Sb2Te–SiN x films with high thermal stability,Materials Letters,2015.10.

[3] Yun meng,Peigao han etal. Study on WSb3Te material for phase-change memory applications,Applied Surface Science,2015.07.

[4] Yun meng,Peigao han etal. Thermal Stability Improvement of Sb2Te Material with Rapid Phase Transition,ECS Solid State Letters,2014.12.

[5] 韩培高等,一种椭圆偏振光谱仪中单色仪的校准,发明专利,2014.10.

[6] 韩培高等,基于椭偏光谱仪的石英晶体1310nm处双折射率的精密测量,光谱学与光谱分析,2012.04.

[7] Peigao han etal.Photoluminescence from intermediate phase silicon structure and nanocrystalline silicon in plasma enhanced chemical vapor deposition grown Si/SiO2 multilayers,Nanotechnology,2008.07.

 

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